フォトマスクが6インチから12インチへ|High-NA EUVの「半分しか焼けない」を業界で解く
2026年9月8日、ASML と TSMC が High-NA EUV 向けに 12 インチフォトマスクへ移行する業界イニシアティブを発表。パイロット 2031 年・量産 2033 年。Samsung は参加と DRAM 量産 2028 年、Intel は 6×12 インチとスティッチングの両輪を表明。NA を上げると露光フィールドが半分になる理屈と、マスクを大きくすると何が戻るかを図解で追う。
2026年9月8日、ASML と TSMC が High-NA EUV 向けに 12 インチフォトマスクへ移行する業界イニシアティブを発表。パイロット 2031 年・量産 2033 年。Samsung は参加と DRAM 量産 2028 年、Intel は 6×12 インチとスティッチングの両輪を表明。NA を上げると露光フィールドが半分になる理屈と、マスクを大きくすると何が戻るかを図解で追う。
メモリ高騰の続報。長期契約(LTA)が Samsung・SK hynix・Micron の3強を超え、Sandisk・Nanya・CXMT へ広がっている。Micron は2026暦年の HBM 全量を契約済みと表明し、Sandisk の前受金は1年で約50倍に。容量を予約で押さえ合う市場を読む。
合成DNAとペロブスカイトを組み合わせたメムリスタが、0.1V未満で動作し従来型メモリの100分の1の電力で記憶したと報告された。ただし桁の異なる数字が混在している。一次情報で出どころを切り分け、実用化までの距離も正直に見る。
キオクシアとサンディスクが8月12日、QLCの第9世代2Tb 3次元フラッシュメモリ技術を発表した。CBA技術で最新CMOS回路と既存のメモリセルアレイを貼り合わせ、NANDインタフェース速度4.8Gb/秒(第8世代比33%向上)を実現。8日前発表の第10世代との二軸戦略を公式発表で読み解く。
「電子工作を直撃したメモリ高騰」の続報。AI 向け HBM 需要が民生 DRAM/NAND の生産枠を食い、値上げが続いている。Micron は個人向け Crucial から撤退、SK Hynix の CEO は不足が2030年以降も続くと述べた。個人がどう動くかまで整理する。
Qualcomm が9月1日出荷分から二桁パーセントの値上げを顧客通知したと報じられた。理由は半導体・メモリ・先進パッケージングという広範なコスト上昇で、メモリ高騰でArduino等が値上がりしたのと同じ根だ。端末価格への効き方を断定せず整理する。
AIデータセンターのメモリ需要でDRAMとLPDDR4が高騰し、Arduino が UNO Q を、Raspberry Pi が Pi 4/5 などを相次いで値上げした。両社の公式発表で価格・日付・理由を確認し、電子工作の作り手が SBC とマイコンを用途でどう切り分けるかを整理する。