フォトマスクが6インチから12インチへ|High-NA EUVの「半分しか焼けない」を業界で解く
2026年9月8日、ASML と TSMC が High-NA EUV 向けに 12 インチフォトマスクへ移行する業界イニシアティブを発表。パイロット 2031 年・量産 2033 年。Samsung は参加と DRAM 量産 2028 年、Intel は 6×12 インチとスティッチングの両輪を表明。NA を上げると露光フィールドが半分になる理屈と、マスクを大きくすると何が戻るかを図解で追う。
2026年9月8日、ASML と TSMC が High-NA EUV 向けに 12 インチフォトマスクへ移行する業界イニシアティブを発表。パイロット 2031 年・量産 2033 年。Samsung は参加と DRAM 量産 2028 年、Intel は 6×12 インチとスティッチングの両輪を表明。NA を上げると露光フィールドが半分になる理屈と、マスクを大きくすると何が戻るかを図解で追う。
ソニーとTSMCが8月11日、次世代イメージセンサー合弁の設立で最終契約を締結した。拠点は熊本県合志市。ソニー約4,650億円・TSMC約2,820億円を出資し2029年の量産開始を目指す。Raspberry Piのカメラにも載る積層CMOS構造から、センサー企業がファウンドリと組む理屈を読み解く。
Rapidus が2nm世代で PDK 提供から年内のテストチップ、2027年後半の量産目標へと歩を進める。支援額の数字を年度・種別で整理し、歩留まりと顧客という難所を事実ベースで読み解く。
『2nm』世代でファウンドリ競争が新局面へ。TSMC N2 の量産開始、GAA トランジスタと裏面電源を量産で先に載せた Intel 18A、続く Samsung SF2――FinFET から GAA ナノシート・裏面電源(PowerVia)へという物理の変化を技術から掘り下げる。